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Datenwartung
SM 200 |
MOS-HF-Transistor für VHF |
Hersteller: | VEB Mikroelektronik "Anna Seghers" Neuhaus, DDR |
Bauform: | |
Material: | Silizium |
Zonenfolge: | n-Kanal |
Spannung (UCEO): | - 20.00 V |
Spannung (UCBO): | V |
Spannung (UEBO): | V |
Strom (IC): | 30.00 mA |
Leistung (Ptot): | 300.00 mW |
Kompatibel: | -Typen in Klammern sind ähnlich! |
DDR-Preise in Mark |
Originaltype |
Industrierückkauf | ||
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Typ |
EVP Gruppe 1 |
IAP Gruppe 1 |
EVP Gruppe 2 |
IAP Gruppe 2 |
SM 200 |
4.00 |
2.96 |
2.40 |
1.78 |
SM 200 S 1 |
1.20 |
0.89 |
0.00 |
0.00 |
Datenblatt: | 1985 - Aktive elektronische Bauelemente | Datenblatt anzeigen |
Datenblatt: | Funkamateur | Datenblatt anzeigen |
Daten veröffentlicht: 1985 |
Letzte Bearbeitung: 26.02.2024 / 10:59:29 |