BD 137

Transistor (komplementär BD 138)

Hersteller:

MEV - VR Ungarn, Ungarn

Bauform:

Material:

Silizium

Zonenfolge:

npn

Spannung (U_CE) / (U_DS):

60.00 V

Spannung (U_CB) / (U_GD):

60.00 V

Spannung (U_EB) / (U_GS):

5.00 V

Strom (I_C):

1.00 A

Leistung (P_tot):

6.50 W

Grenzfrequenz (f_T):

50.00 MHz

Verstärkung (h_21e):

40 - 160

Typen in Klammern sind ähnlich.

BD 137

1.85

1.37

1.10

0.82

BD 137 G/138 G

4.35

3.22

2.60

1.93

BD 137 H/138 H

4.35

3.22

2.60

1.93

BD 137 I/138 I

4.60

3.41

2.75

2.04

BD 137 K/138 K

4.60

3.41

2.75

2.04

BD 137-10

2.00

1.48

1.20

0.89

BD 137-6

1.85

1.37

1.10

0.82

BD 137/138

4.35

3.22

2.60

1.93

Datenblatt

1978 - Elektronisches Jahrbuch

Datenblatt

1983 - Katalog Unitra

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1975 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 13.11.2024 / 10:04:36