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 Onlineangebot für DDR-Bauteile |
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Datenwartung
SC 236 C |
NF-Transistor |
Hersteller: | VEB Mikroelektronik "Anna Seghers" Neuhaus, DDR |
Bauform: | .jpg) |
Material: | Silizium |
Zonenfolge: | npn |
Spannung (UCEO): | 20.00 V |
Spannung (UCBO): | V |
Spannung (UEBO): | V |
Strom (IC): | 100.00 mA |
Leistung (Ptot): | 200.00 mW |
Grenzfrequenz (fT): | 120.00 MHz |
Verstärkung (h21e): | 56 - 140 |
Kompatibel: | -Typen in Klammern sind ähnlich! |
DDR-Preise in Mark |
Originaltype |
Industrierückkauf | ||
|---|---|---|---|---|
Typ |
EVP Gruppe 1 |
IAP Gruppe 1 |
EVP Gruppe 2 |
IAP Gruppe 2 |
SC 236 C |
0.50 |
0.37 |
0.30 |
0.22 |
SC 236 C-S 1 |
0.15 |
0.11 |
0.00 |
0.00 |
Datenblatt: | 1985 - Aktive elektronische Bauelemente |
Daten veröffentlicht: 1981 |
Letzte Bearbeitung: 26.02.2024 / 10:59:28 |
