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Datenwartung
2 GA 109 |
Diodenpaar hochohmig (früher 2 OA 646) |
Hersteller: | VEB Halbleiterwerk Frankfurt (Oder), DDR |
Bauform: |  |
Material: | Germanium |
Spannung (UR): | 40.00 V |
Durchlassgleichstrom (IF): | 15.00 mA |
Kompatibel: | Typen in Klammern sind ähnlich! |
DDR-Preise in Mark |
Originaltype |
Industrierückkauf | ||
|---|---|---|---|---|
Typ |
EVP Gruppe 1 |
IAP Gruppe 1 |
EVP Gruppe 2 |
IAP Gruppe 2 |
2 GA 109 |
2.15 |
1.59 |
1.30 |
0.96 |
Datenblatt: | 1972 - Elektronisches Jahrbuch | |
Datenblatt: | 1965 - Handbuch elektronische Bauelemente |
Daten veröffentlicht: 1972 |
Letzte Bearbeitung: 26.02.2024 / 10:59:29 |
