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Datenwartung
GT 322 B (ГT 322 Б) |
HF-Transistor |
Hersteller: | Mashpriboringtorg, Moskva (Maшпpигopинтopг, Mocквa), UdSSR |
Bauform: | |
Material: | Germanium |
Zonenfolge: | pnp |
Spannung (UCEO): | - 15.00 V |
Spannung (UCBO): | V |
Spannung (UEBO): | V |
Strom (IC): | 5.00 mA |
Leistung (Ptot): | 50.00 mW |
Kompatibel: | FD 7 - ?---Typen in Klammern sind ähnlich! |
DDR-Preise in Mark |
Originaltype |
Industrierückkauf | ||
---|---|---|---|---|
Typ |
EVP Gruppe 1 |
IAP Gruppe 1 |
EVP Gruppe 2 |
IAP Gruppe 2 |
GT 322 B |
4.00 |
2.96 |
2.40 |
1.78 |
GT 322 B 1 |
4.20 |
3.11 |
2.50 |
1.85 |
GT 322 B 2 |
3.50 |
2.59 |
2.10 |
1.56 |
GT 322 B 2 WEIßER PUNKT |
3.10 |
2.30 |
1.85 |
1.37 |
GT 322 B 3 |
4.70 |
3.48 |
2.80 |
2.07 |
GT 322 B 4 |
5.00 |
3.71 |
3.00 |
2.22 |
Datenblatt: | 1973 - Elektronisches Jahrbuch | Datenblatt anzeigen |
Daten veröffentlicht: 1973 |
Letzte Bearbeitung: 26.02.2024 / 10:59:37 |