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 Onlineangebot für DDR-Bauteile |
|---|
Datenwartung
D 110 D |
3 NAND mit je 3 Eing. |
Hersteller: | VEB Halbleiterwerk Frankfurt/Oder, DDR |
Bauform: |  |
Betriebsspannung: | 5.00 V |
Leistung: | 10.00 mW |
Grenzfrequenz: | 50.00 MHz |
Zugriffszeit: | 10.0 ns |
Kompatibel: | SN 7410 N - Texas Instruments | |
TL 7410 N - Telefunken | ||
MIC 7410 N - Intel | ||
K 155 ЛА 4 - UdSSR | ||
FLH 111 - Siemens | ||
MIC 7410 N - ITT |
DDR-Preise in Mark |
Originaltype |
Industrierückkauf | ||
|---|---|---|---|---|
Typ |
EVP Gruppe 1 |
IAP Gruppe 1 |
EVP Gruppe 2 |
IAP Gruppe 2 |
D 110 D |
3.60 |
2.67 |
2.15 |
1.59 |
D 110 DS 1 |
0.98 |
0.73 |
0.00 |
0.00 |
Datenblatt: | 1985 - Aktive elektronische Bauelemente |
Daten veröffentlicht: 1981 |
Letzte Bearbeitung: 15.03.2024 / 09:38:36 |
