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für DDR-Bauteile


Datenwartung

SD 336 C

NF-Transistor

Hersteller:

VEB Mikroelektronik "Anna Seghers" Neuhaus, DDR

Bauform:

Material:

Silizium

Zonenfolge:

pnp

Spannung (UCEO):

45.00 V

Spannung (UCBO):

V

Spannung (UEBO):

V

Strom (IC):

1.50 A

Leistung (Ptot):

12.50 W

Grenzfrequenz (fT):

210.00 MHz

Verstärkung (h21e):

100 - 250

Kompatibel:

BD 136 - - Verschiedene Hersteller

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Typen in Klammern sind ähnlich!

DDR-Preise in Mark

Originaltype
Industrierückkauf

Typ

EVP Gruppe 1
IAP Gruppe 1
EVP Gruppe 2
IAP Gruppe 2

SD 335 C/SD 336 C

4.20
3.11
2.50
1.85

SD 336 C

2.00
1.48
1.20
0.89

Datenblatt:

1985 - Aktive elektronische Bauelemente


Datenblatt anzeigen

Daten veröffentlicht: 1984

Letzte Bearbeitung: 19.03.2024 / 08:57:25