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Datenwartung
GC 111 |
Transistor |
Hersteller: | VEB Halbleiterwerk Frankfurt (Oder), DDR |
Bauform: | .png) |
Material: | Germanium |
Zonenfolge: | pnp |
Spannung (UCEO): | 80.00 V |
Spannung (UCBO): | V |
Spannung (UEBO): | V |
Strom (IC): | 125.00 mA |
Verstärkung (h21e): | 11 - 35 |
Kompatibel: | 2 SB 68 - Hitachi |
DDR-Preise in Mark |
Originaltype |
Industrierückkauf | ||
|---|---|---|---|---|
Typ |
EVP Gruppe 1 |
IAP Gruppe 1 |
EVP Gruppe 2 |
IAP Gruppe 2 |
GC 111 |
1.10 |
0.82 |
0.66 |
0.49 |
Datenblatt: | 1965 - Handbuch elektronische Bauelemente |
Daten veröffentlicht: 1964 |
Letzte Bearbeitung: 26.02.2024 / 10:59:29 |
