GC 116 C

NF-Transistor

Hersteller:

VEB Halbleiterwerk Frankfurt (Oder), DDR

Bauform:

Material:

Germanium

Zonenfolge:

pnp

Spannung (U_CEO):

20.00 V

Spannung (U_EBO):

V

Strom (I_C):

150.00 mA

Leistung (P_tot):

120.00 mW

Grenzfrequenz (f_T):

750.00 kHz

Verstärkung (h_21e):

45 - 88

Kompatibel:

AC 116 - Telefunken

AC 125 - Valvo

AC 151 - Siemens

OC 70 - Mullard

P 6 B - UdSSR
AC 117 - WD
AC 125 - WD
2 N 187 - USA
OC 70 - CSSR-Tesla
2 SB 75 - Hitachi

Typen in Klammern sind ähnlich!

2 GC 116 C

3.45

2.56

2.05

1.52

GC 116 C

1.55

1.15

0.93

0.69

Datenblatt:

1965 - Handbuch elektronische Bauelemente

Datenblatt anzeigen

Datenblatt:

1968 - Germanium-Transistoren RFT-Datenbuch

Datenblatt anzeigen

Daten veröffentlicht: 1965

Letzte Bearbeitung: 30.03.2024 / 08:40:46