GC 121 E

NF-Transistor (früher OC 821)

Hersteller:

VEB Halbleiterwerk Frankfurt (Oder), DDR

Bauform:

Material:

Germanium

Zonenfolge:

pnp

Spannung (U_CEO):

20.00 V

Spannung (U_CBO):

V

Spannung (U_EBO):

V

Strom (I_C):

250.00 mA

Leistung (P_tot):

120.00 mW

Grenzfrequenz (f_T):

12.00 kHz

Verstärkung (h_21e):

114 - 220

Kompatibel:

AC 131 - Telefunken

OC 72 - Valvo

OC 72 - Mullard

P 13 - UdSSR
AC 123 - WD
AC 132 - WD
2 N 45 - USA
OC 72 - CSSR-Tesla
2 SB 77 - Japan

Typen in Klammern sind ähnlich!

2 GC 121 E

5.30

3.93

3.20

2.37

GC 121 E

2.45

1.82

1.45

1.07

Datenblatt:

1965 - Handbuch elektronische Bauelemente

Datenblatt anzeigen

Datenblatt:

1968 - Germanium-Transistoren RFT-Datenbuch

Datenblatt anzeigen

Daten veröffentlicht: 1965

Letzte Bearbeitung: 30.03.2024 / 08:44:32