GC 123 D

NF-Transistor (früher OC 823)

Hersteller:

VEB Halbleiterwerk Frankfurt (Oder), DDR

Bauform:

Material:

Germanium

Zonenfolge:

pnp

Spannung (U_CEO):

66.00 V

Spannung (U_CBO):

V

Spannung (U_EBO):

V

Strom (I_C):

250.00 mA

Leistung (P_tot):

120.00 mW

Grenzfrequenz (f_T):

12.00 kHz

Verstärkung (h_21e):

>72

Kompatibel:

OC 77 - Valvo

OC 77 - Mullard

P 13 B - UdSSR
ASY 77 - WD
OC 309 - WD
CK 721 - USA
OC 77 - CSSR-Tesla
2 SB 77 - Japan

Typen in Klammern sind ähnlich!

2 GC 123 D

6.65

4.93

4.00

2.96

GC 123 D

3.05

2.26

1.85

1.37

Datenblatt:

1965 - Handbuch elektronische Bauelemente

Datenblatt anzeigen

Datenblatt:

1968 - Germanium-Transistoren RFT-Datenbuch

Datenblatt anzeigen

Daten veröffentlicht: 1965

Letzte Bearbeitung: 30.03.2024 / 08:49:05