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Datenwartung
GC 300 C |
NF-Transistor |
Hersteller: | VEB Halbleiterwerk Frankfurt (Oder), DDR |
Bauform: | .png) |
Material: | Germanium |
Zonenfolge: | pnp |
Spannung (UCEO): | 30.00 V |
Spannung (UCBO): | V |
Spannung (UEBO): | V |
Strom (IC): | 1.50 A |
Leistung (Ptot): | 400.00 mW |
Grenzfrequenz (fT): | 10.00 kHz |
Verstärkung (h21e): | 45 - 88 |
Kompatibel: | Typen in Klammern sind ähnlich! |
Datenblatt: | 1965 - Halbleiter-Bauelemente | |
Datenblatt: | 1965 - Handbuch elektronische Bauelemente |
Daten veröffentlicht: 1965 |
Letzte Bearbeitung: 26.02.2024 / 10:59:29 |
