GC 301 C

NF-Transistor

Hersteller:

VEB Halbleiterwerk Frankfurt (Oder), DDR

Bauform:

Material:

Germanium

Zonenfolge:

pnp

Spannung (U_CEO):

30.00 V

Spannung (U_EBO):

V

Strom (I_C):

1.50 A

Leistung (P_tot):

400.00 mW

Grenzfrequenz (f_T):

10.00 kHz

Verstärkung (h_21e):

45 - 88

Kompatibel:

AC 117 - Telefunken

AC 128 - Valvo

AC 152 - Siemens

AC 153 - Siemens

OC 84 - Mullard

2 SB 370 - Hitachi
2 SB 370 A - Hitachi

Typen in Klammern sind ähnlich!

2 GC 301 C

9.05

6.71

5.45

4.04

GC 301 C

4.10

3.04

2.45

1.82

Datenblatt:

1965 - Handbuch elektronische Bauelemente

Datenblatt anzeigen

Datenblatt:

1968 - Germanium-Transistoren RFT-Datenbuch

Datenblatt anzeigen

Daten veröffentlicht: 1965

Letzte Bearbeitung: 30.03.2024 / 08:50:16