| Einloggen! |
||
| Anmelden! |
| Start |
|---|
| Analogschaltkreise |
| Digitalschaltkreise |
| Mikrorechner/Speicher |
| Transistoren |
| Diode/Thyr./Triac |
| Optoelektronik |
| Sonstiges |
| Weitere Tabellen |
|---|
| Datenbücher |
| Sockelschaltungen |
| Kompatibel |
| Preislisten |
Fehler melden
 Onlineangebot für DDR-Bauteile |
|---|
Datenwartung
GS 100 C |
Schalttransistor |
Hersteller: | VEB Halbleiterwerk Frankfurt (Oder), DDR |
Bauform: | .jpg) |
Material: | Germanium |
Zonenfolge: | pnp |
Spannung (UCEO): | 15.00 V |
Spannung (UCBO): | V |
Spannung (UEBO): | V |
Strom (IC): | 150.00 mA |
Grenzfrequenz (fT): | 15.00 MHz |
Verstärkung (h21e): | 45 - 88 |
Kompatibel: | OC 44 K - Tungsram, VR Ungarn | |
Typen in Klammern sind ähnlich! |
DDR-Preise in Mark |
Originaltype |
Industrierückkauf | ||
|---|---|---|---|---|
Typ |
EVP Gruppe 1 |
IAP Gruppe 1 |
EVP Gruppe 2 |
IAP Gruppe 2 |
GS 100 C |
4.80 |
3.56 |
2.90 |
2.15 |
Datenblatt: | 1965 - Handbuch elektronische Bauelemente |
Daten veröffentlicht: 1968 |
Letzte Bearbeitung: 30.03.2024 / 08:37:20 |
