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Datenwartung
2 OA 646 |
Diodenpaar hochohmig (später 2 GA 109) |
Hersteller: | VEB Halbleiterwerk Frankfurt (Oder), DDR |
Bauform: |  |
Material: | Germanium |
Spannung (UR): | 40.00 V |
Durchlassgleichstrom (IF): | 15.00 mA |
Kompatibel: | Typen in Klammern sind ähnlich! |
Datenblatt: | 1972 - Elektronisches Jahrbuch | |
Datenblatt: | 1965 - Handbuch elektronische Bauelemente |
Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden! |
Daten veröffentlicht: 1968 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!) |
Letzte Bearbeitung: 26.02.2024 / 10:59:29 |
