OA 666

Schaltdiode (später GA 107)

Hersteller:

VEB Halbleiterwerk Frankfurt (Oder), DDR

Bauform:

Material:

Germanium

Spannung (U_R):

60.00 V

Durchlassgleichstrom (I_F):

150.00 mA

Verlustleistung (P_tot):

100.00 mW

Kompatibel:

Typen in Klammern sind ähnlich!

Datenblatt:

1965 - Handbuch elektronische Bauelemente

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Daten veröffentlicht: 1962

Letzte Bearbeitung: 26.02.2024 / 10:59:29