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 Onlineangebot für DDR-Bauteile |
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Datenwartung
GF 125 |
HF-Transistor |
Hersteller: | VEB Halbleiterwerk Frankfurt (Oder), DDR |
Bauform: |  |
Material: | Germanium |
Zonenfolge: | pnp |
Spannung (UCEO): | 15.00 V |
Spannung (UEBO): | V |
Strom (IC): | 10.00 mA |
Kompatibel: | AF 116 - Valvo | |
OC 170 - Tesla, CSSR | ||
Typen in Klammern sind ähnlich! |
DDR-Preise in Mark |
Originaltype |
Industrierückkauf | ||
|---|---|---|---|---|
Typ |
EVP Gruppe 1 |
IAP Gruppe 1 |
EVP Gruppe 2 |
IAP Gruppe 2 |
GF 125 |
4.50 |
3.33 |
2.70 |
2.00 |
Datenblatt: | 1965 - Halbleiter-Bauelemente |
Daten veröffentlicht: 1965 |
Letzte Bearbeitung: 30.03.2024 / 08:51:45 |
