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für DDR-Bauteile


Datenwartung

LC 815

Transistor mit größerem Toleranzbereich

Hersteller:

VEB Halbleiterwerk Frankfurt (Oder), DDR

Bauform:

Material:

Germanium

Zonenfolge:

pnp

Spannung (UCEO):

10.00 V

Spannung (UCBO):

V

Spannung (UEBO):

V

Strom (IC):

50.00 mA

Leistung (Ptot):

100.00 mW

Verstärkung (h21e):

10 - 80

Kompatibel:


Typen in Klammern sind ähnlich!

Datenblatt:

1965 - Halbleiter-Bauelemente


Datenblatt anzeigen

Daten veröffentlicht: 1965

Letzte Bearbeitung: 26.02.2024 / 10:59:29