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für DDR-Bauteile


Datenwartung

1..5 SAY 46 A

bis zu 5x SAY 16 mit gemeinsamer Anode

Hersteller:

VEB Halbleiterwerk Frankfurt (Oder), DDR

Bauform:

Material:

Silizium

Spannung (UR):

30.00 V

Durchlassgleichstrom (IF):

300.00 mA

Verlustleistung (Ptot):

430.00 mW

Kompatibel:


Typen in Klammern sind ähnlich!

Datenblatt:

1967 - RFT Halbleiter


Datenblatt anzeigen

Daten veröffentlicht: 1967

Letzte Bearbeitung: 26.02.2024 / 10:59:29