| Einloggen! |
||
| Anmelden! |
| Start |
|---|
| Analogschaltkreise |
| Digitalschaltkreise |
| Mikrorechner/Speicher |
| Transistoren |
| Diode/Thyr./Triac |
| Optoelektronik |
| Sonstiges |
| Weitere Tabellen |
|---|
| Datenbücher |
| Sockelschaltungen |
| Kompatibel |
| Preislisten |
Fehler melden
 Onlineangebot für DDR-Bauteile |
|---|
Datenwartung
2...6 SAY 32 |
bis zu 5x+1 SAY 12 mit gemeinsamer Katode |
Hersteller: | VEB Halbleiterwerk Frankfurt (Oder), DDR |
Bauform: |  |
Material: | Silizium |
Spannung (UR): | 50.00 V |
Durchlassgleichstrom (IF): | 300.00 mA |
Verlustleistung (Ptot): | 430.00 mW |
Kompatibel: | BA 217 - | |
BAY 32 - | ||
1 N 813 - | ||
Typen in Klammern sind ähnlich! |
Datenblatt: | 1967 - RFT Halbleiter |
Daten veröffentlicht: 1967 |
Letzte Bearbeitung: 19.03.2024 / 08:29:13 |
