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Datenwartung
SFE 517 |
HF-Transistor |
Hersteller: | VEB Mikroelektronik "Anna Seghers" Neuhaus, DDR |
Bauform: |  |
Material: | Silizium |
Zonenfolge: | npn |
Spannung (UCEO): | 25.00 V |
Spannung (UCBO): | 2.00 V |
Spannung (UEBO): | V |
Strom (IC): | 150.00 mA |
Leistung (Ptot): | 1.00 W |
Grenzfrequenz (fT): | 1.20 GHz |
Kompatibel: | Typen in Klammern sind ähnlich! |
Datenblatt: | 1990 - RFT Neuheiten |
Daten veröffentlicht: 1990 |
Letzte Bearbeitung: 03.04.2024 / 10:04:05 |
