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Datenwartung
SFE 570 |
Transistor (komplementär zu SFE 569) |
Hersteller: | VEB Mikroelektronik "Anna Seghers" Neuhaus, DDR |
Bauform: |  |
Material: | Silizium |
Zonenfolge: | pnp |
Spannung (UCEO): | 250.00 V |
Spannung (UCBO): | 250.00 V |
Spannung (UEBO): | 5 V |
Strom (IC): | 50.00 mA |
Leistung (Ptot): | 1.00 W |
Grenzfrequenz (fT): | 60.00 MHz |
Kompatibel: | Typen in Klammern sind ähnlich! |
Datenblatt: | 1990 - RFT Neuheiten |
Daten veröffentlicht: 1990 |
Letzte Bearbeitung: 03.04.2024 / 16:35:04 |
