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für DDR-Bauteile


Datenwartung

SSE 550

Transistor für allgemeine Anwendung

Hersteller:

VEB Mikroelektronik "Anna Seghers" Neuhaus, DDR

Bauform:

Material:

Silizium

Zonenfolge:

npn

Spannung (UCEO):

45.00 V

Spannung (UCBO):

60.00 V

Spannung (UEBO):

5 V

Strom (IC):

500.00 mA

Leistung (Ptot):

1.00 W

Kompatibel:


Typen in Klammern sind ähnlich!

Datenblatt:

1990 - RFT Neuheiten


Datenblatt anzeigen

Daten veröffentlicht: 1990

Letzte Bearbeitung: 04.04.2024 / 08:55:08