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Datenwartung
SSE 562 |
Transistor für allgemeine Anwendung |
Hersteller: | VEB Mikroelektronik "Anna Seghers" Neuhaus, DDR |
Bauform: | |
Material: | Silizium |
Zonenfolge: | pnp |
Spannung (UCEO): | 80.00 V |
Spannung (UCBO): | 5.00 V |
Strom (IC): | 500.00 mA |
Leistung (Ptot): | 1.00 W |
Kompatibel: | Typen in Klammern sind ähnlich! |
Datenblatt: | 1990 - RFT Neuheiten | Datenblatt anzeigen |
Daten veröffentlicht: 1990 |
Letzte Bearbeitung: 04.04.2024 / 08:54:54 |