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Datenwartung
VFE 15-37 |
GAAS-MOSFET-Transistor (F=3,7 dB) |
Hersteller: | VEB Mikroelektronik "Anna Seghers" Neuhaus, DDR |
Bauform: |  |
Material: | Silizium |
Zonenfolge: | x |
Spannung (UCEO): | 5.00 V |
Spannung (UCBO): | 0.50 V |
Strom (IC): | 100.00 mA |
Leistung (Ptot): | 350.00 mW |
Grenzfrequenz (fT): | 12.00 GHz |
Kompatibel: | Typen in Klammern sind ähnlich! |
Datenblatt: | 1990 - RFT Neuheiten |
Daten veröffentlicht: 1990 |
Letzte Bearbeitung: 04.04.2024 / 09:24:01 |
