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 Onlineangebot für DDR-Bauteile |
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Datenwartung
GC 115 |
NF-Transistor |
Hersteller: | VEB Halbleiterwerk Frankfurt (Oder), DDR |
Bauform: | .png) |
Material: | Germanium |
Zonenfolge: | pnp |
Spannung (UCEO): | 20.00 V |
Spannung (UCBO): | V |
Spannung (UEBO): | V |
Strom (IC): | 150.00 mA |
Leistung (Ptot): | 70.00 mW |
Grenzfrequenz (fT): | 500.00 kHz |
Verstärkung (h21e): | 10 - 22 |
Kompatibel: | Typen in Klammern sind ähnlich! |
DDR-Preise in Mark |
Originaltype |
Industrierückkauf | ||
|---|---|---|---|---|
Typ |
EVP Gruppe 1 |
IAP Gruppe 1 |
EVP Gruppe 2 |
IAP Gruppe 2 |
GC 115 |
0.78 |
0.58 |
0.47 |
0.35 |
Datenblatt: | 1965 - Handbuch elektronische Bauelemente | |
Datenblatt: | 1968 - Germanium-Transistoren RFT-Datenbuch |
Daten veröffentlicht: 1965 |
Letzte Bearbeitung: 26.02.2024 / 10:59:29 |
