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für DDR-Bauteile


Datenwartung

GF 132

HF-Transistor

Hersteller:

VEB Halbleiterwerk Frankfurt (Oder), DDR

Bauform:

Material:

Germanium

Zonenfolge:

pnp

Spannung (UCEO):

20.00 V

Spannung (UEBO):

V

Strom (IC):

10.00 mA

Leistung (Ptot):

50.00 mW

Kompatibel:

AF 124 - Valvo

Google

AF 134 - Telefunken

Google

AF 134 T - Tungsram, VR Ungarn

Google

2 SA 235 - Hitachi


Typen in Klammern sind ähnlich!

DDR-Preise in Mark

Originaltype
Industrierückkauf

Typ

EVP Gruppe 1
IAP Gruppe 1
EVP Gruppe 2
IAP Gruppe 2

GF 132

6.35
4.71
3.80
2.82

Datenblatt:

1965 - Handbuch elektronische Bauelemente


Datenblatt anzeigen

Datenblatt:

1968 - Germanium-Transistoren RFT-Datenbuch


Datenblatt anzeigen

Daten veröffentlicht: 1965

Letzte Bearbeitung: 28.03.2024 / 08:38:53