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Datenwartung
SFE 235 |
HF-Transistor |
Hersteller: | VEB Mikroelektronik "Anna Seghers" Neuhaus, DDR |
Bauform: |  |
Material: | Silizium |
Zonenfolge: | npn |
Spannung (UCEO): | - 25.00 V |
Spannung (UCBO): | V |
Spannung (UEBO): | V |
Strom (IC): | 25.00 mA |
Leistung (Ptot): | 150.00 mW |
Grenzfrequenz (fT): | 750.00 MHz |
Kompatibel: | -Typen in Klammern sind ähnlich! |
DDR-Preise in Mark |
Originaltype |
Industrierückkauf | ||
|---|---|---|---|---|
Typ |
EVP Gruppe 1 |
IAP Gruppe 1 |
EVP Gruppe 2 |
IAP Gruppe 2 |
SFE 235 |
1.75 |
1.30 |
1.05 |
0.78 |
Datenblatt: | 1985 - Aktive elektronische Bauelemente |
Daten veröffentlicht: 1984 |
Letzte Bearbeitung: 26.02.2024 / 10:59:29 |
