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Datenwartung
SAY 32 |
Schalter- u. Universaldiode |
Hersteller: | VEB Mikroelektronik "Wilhelm Pieck" Mühlhausen, DDR |
Bauform: |  |
Material: | Silizium |
Spannung (UR): | 25.00 V |
Durchlassgleichstrom (IF): | 50.00 mA |
Verlustleistung (Ptot): | 150.00 mW |
Kompatibel: | BA 217 - | |
BAY 32 - | ||
1 N 813 - | ||
BA 217 - |
DDR-Preise in Mark |
Originaltype |
Industrierückkauf | ||
|---|---|---|---|---|
Typ |
EVP Gruppe 1 |
IAP Gruppe 1 |
EVP Gruppe 2 |
IAP Gruppe 2 |
SAY 32 |
0.30 |
0.22 |
0.18 |
0.13 |
Datenblatt: | 1985 - Aktive elektronische Bauelemente | |
Datenblatt: | 1967 - RFT Halbleiter |
Daten veröffentlicht: 1967 |
Letzte Bearbeitung: 19.03.2024 / 08:29:13 |
