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Datenwartung
OA 501 |
Diode |
Hersteller: | VEB Werk für Bauelemente der Nachrichtentechnik Teltow, DDR |
Bauform: | ![]() |
Material: | Silizium |
Spannung (UR): | 2.00 V |
Durchlassgleichstrom (IF): | 1.50 mA |
Frequenz: | 3.00 MHz |
Typen in Klammern sind ähnlich. |
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Datenblatt | 1956 Transistoren - Dioden |
?
Du benötigst 5 Guckies.
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Datenblatt |
?
Du benötigst 10 Guckies.
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Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden! |
Daten veröffentlicht: 1956 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!) |
Letzte Bearbeitung: 18.06.2025 / 08:36:50 |