OA 502

Diode

Hersteller:

VEB Werk für Bauelemente der Nachrichtentechnik Teltow, DDR

Bauform:

Material:

Silizium

Spannung (U_R):

3.00 V

Durchlassgleichstrom (I_F):

1.00 mA

Frequenz:

3.00 MHz

Kompatibel:

Typen in Klammern sind ähnlich!

Datenblatt:

1956 Transistoren - Dioden

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1956 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 18.06.2025 / 08:37:28