BU 921

Darlingtontransistor

Hersteller:

VEB Gleichrichterwerk Stahnsdorf, DDR

Bauform:

Material:

Silizium

Zonenfolge:

npn

Spannung (U_CE) / (U_DS):

400.00 V

Spannung (U_CB) / (U_GD):

450.00 V

Spannung (U_EB) / (U_GS):

2.50 V

Strom (I_C):

10.00 A

Leistung (P_tot):

120.00 W

Kompatibel:

SU 111 - DDR

Typen in Klammern sind ähnlich!

Datenblatt:

RFT-mikroelektronik

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1983 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 09.07.2025 / 11:32:50