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Datenwartung
SY 170 |
Gleichrichter Anode am Gehäuse |
Hersteller: | VEB Halbleiterwerk Frankfurt (Oder), DDR |
Bauform: |  |
Material: | Silizium |
Spannung (UR): | 100.00 V |
Durchlassgleichstrom (IF): | 25.00 A |
Frequenz: | 1500.00 Hz |
Typen in Klammern sind ähnlich. |
|||
DDR-Preise in Mark |
Originaltype |
Industrierückkauf |
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|---|---|---|---|---|
Typ |
EVP Gruppe 1 |
IAP Gruppe 1 |
EVP Gruppe 2 |
IAP Gruppe 2 |
SY 170/1 |
5.40 |
4.00 |
3.25 |
2.41 |
SY 170/1 G |
8.80 |
6.52 |
5.30 |
3.93 |
SY 170/2 |
8.60 |
6.37 |
5.15 |
3.82 |
SY 170/2 G |
12.00 |
8.89 |
7.20 |
5.34 |
SY 170/3 |
9.20 |
6.82 |
5.50 |
4.08 |
SY 170/4 |
10.60 |
7.85 |
6.40 |
4.74 |
Datenblatt (lang) | 1969 - Silizium-Gleichrichterdioden RFT-Datenbuch |
?
Du benötigst 10 Guckies.
|
Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden! |
Daten veröffentlicht: 1969 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!) |
Letzte Bearbeitung: 28.09.2026 / 15:43:14 |