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Datenwartung
SSE 202 |
Transistor für allgemeine Anwendung |
Hersteller: | VEB Mikroelektronik "Anna Seghers" Neuhaus, DDR |
Bauform: |  |
Material: | Silizium |
Zonenfolge: | npn |
Spannung (UCB) / (UGD): | 120.00 V |
Strom (IC): | 30.00 mA |
Leistung (Ptot): | 150.00 mW |
Verstärkung (h21e): | 32 |
Kompatibel: | -Typen in Klammern sind ähnlich! |
DDR-Preise in Mark |
Originaltype |
Industrierückkauf | ||
|---|---|---|---|---|
Typ |
EVP Gruppe 1 |
IAP Gruppe 1 |
EVP Gruppe 2 |
IAP Gruppe 2 |
SSE 202 |
1.25 |
0.93 |
0.75 |
0.56 |
Datenblatt: | 1987 - Aktive elektronische Bauelemente, Neuheiten | |
Datenblatt: | 1987/2 - Datenblattsammlung |
Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden! |
Daten veröffentlicht: 1987 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!) |
Letzte Bearbeitung: 26.12.2024 / 16:59:05 |
