SU 387

Schalt-Transistor für Schaltnetzteile

Hersteller:

VEB Mikroelektronik "Karl Liebknecht" Stahnsdorf, DDR

Bauform:

Material:

Silizium

Zonenfolge:

npn

Spannung (U_CE) / (U_DS):

250.00 V

Spannung (U_EB) / (U_GS):

7.00 V

Strom (I_C):

15.00 A

Leistung (P_tot):

150.00 W

Kompatibel:

Typen in Klammern sind ähnlich!

Datenblatt:

RFT-mikroelektronik

Datenblatt:

1987 - Aktive elektronische Bauelemente, Neuheiten

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1987 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 15.07.2025 / 09:59:01