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Datenwartung
KP 307 B (KП 307 Б) |
Feldeffekt-Transistor |
Hersteller: | Mashpriboringtorg, Moskva (Maшпpигopинтopг, Mocквa), UdSSR |
Bauform: |  |
Material: | Silizium |
Zonenfolge: | n-Kan |
Spannung (UCE) / (UDS): | 27.00 V |
Spannung (UCB) / (UGD): | 27.00 V |
Spannung (UEB) / (UGS): | 27.00 V |
Strom (IC): | 25.00 mA |
Leistung (Ptot): | 250.00 mW |
Verstärkung (h21e): | 5 - 10 |
Typen in Klammern sind ähnlich. |
|||
DDR-Preise in Mark |
Originaltype |
Industrierückkauf |
||
|---|---|---|---|---|
Typ |
EVP Gruppe 1 |
IAP Gruppe 1 |
EVP Gruppe 2 |
IAP Gruppe 2 |
KP 307 B |
4.35 |
3.22 |
2.60 |
1.93 |
Datenblatt (kurz) |
?
Du benötigst 5 Guckies.
| |
Datenblatt (lang) | RFT-mikroelektronik |
?
Du benötigst 10 Guckies.
|
Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden! |
Daten veröffentlicht: 1986 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!) |
Letzte Bearbeitung: 11.10.2026 / 11:25:21 |