SU 510

Schalt-Transistor für Anwendung am 380-V-Netz

Hersteller:

VEB Mikroelektronik "Karl Liebknecht" Stahnsdorf, DDR

Bauform:

Material:

Silizium

Zonenfolge:

npn

Spannung (U_CE) / (U_DS):

800.00 V

Spannung (U_CB) / (U_GD):

1000.00 V

Spannung (U_EB) / (U_GS):

7.00 V

Strom (I_C):

30.00 A

Leistung (P_tot):

250.00 W

Kompatibel:

Typen in Klammern sind ähnlich!

Datenblatt:

RFT-mikroelektronik

Datenblatt:

1988 - Aktive elektronische Bauelemente

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1987 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 15.07.2025 / 10:08:16