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Datenwartung

OC 820

Siehe GC 120 = Neuer Name ab 1.1.1964

Hersteller:

VEB Halbleiterwerk Frankfurt (Oder), DDR

Bauform:

Material:

Germanium

Zonenfolge:

pnp

Spannung (UCE) / (UDS):

20.00 V

Spannung (UEB) / (UGS):

10.00 V

Strom (IC):

125.00 mA

Leistung (Ptot):

100.00 mW

Grenzfrequenz (fT):

300.00 kHz

Verstärkung (h21e):

>10

Kompatibel:


Typen in Klammern sind ähnlich!

DDR-Preise in Mark

Originaltype
Industrierückkauf

Typ

EVP Gruppe 1
IAP Gruppe 1
EVP Gruppe 2
IAP Gruppe 2

OC 820

6.00
4.45
3.60
2.67

Datenblatt:

1962 - RFT - Halbleiter-Bauelemente Katalog

Datenblatt:

1957 - Bauelemente der Nachrichtentechnik


Datenblatt anzeigen

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1957 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 04.07.2024 / 08:48:38