| Einloggen! |
||
| Anmelden! |
| Start |
|---|
| Analogschaltkreise |
| Digitalschaltkreise |
| Mikrorechner/Speicher |
| Transistoren |
| Diode/Thyr./Triac |
| Optoelektronik |
| Sonstiges |
| Weitere Tabellen |
|---|
| Datenbücher |
| Sockelschaltungen |
| Kompatibel |
| Preislisten |
Fehler melden
 Onlineangebot für DDR-Bauteile |
|---|
Datenwartung
OC 820 |
Siehe GC 120 = Neuer Name ab 1.1.1964 |
Hersteller: | VEB Halbleiterwerk Frankfurt (Oder), DDR |
Bauform: |  |
Material: | Germanium |
Zonenfolge: | pnp |
Spannung (UCEO): | 20.00 V |
Spannung (UCBO): | V |
Spannung (UEBO): | V |
Strom (IC): | 125.00 mA |
Leistung (Ptot): | 100.00 mW |
Grenzfrequenz (fT): | 200.00 kHz |
Verstärkung (h21e): | >10 |
Kompatibel: | Typen in Klammern sind ähnlich! |
DDR-Preise in Mark |
Originaltype |
Industrierückkauf | ||
|---|---|---|---|---|
Typ |
EVP Gruppe 1 |
IAP Gruppe 1 |
EVP Gruppe 2 |
IAP Gruppe 2 |
OC 820 |
6.00 |
4.45 |
3.60 |
2.67 |
Datenblatt: | 1962 - RFT - Halbleiter-Bauelemente Katalog | |
Datenblatt: | 1957 - Bauelemente der Nachrichtentechnik |
Daten veröffentlicht: 1957 |
Letzte Bearbeitung: 26.02.2024 / 10:59:29 |
