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Datenwartung
OC 822 |
Siehe GC 122 = Neuer Name ab 1.1.1964 |
Hersteller: | VEB Halbleiterwerk Frankfurt (Oder), DDR |
Bauform: |  |
Material: | Germanium |
Zonenfolge: | pnp |
Spannung (UCE) / (UDS): | 30.00 V |
Spannung (UCB) / (UGD): | 30.00 V |
Spannung (UEB) / (UGS): | 20.00 V |
Strom (IC): | 125.00 mA |
Leistung (Ptot): | 100.00 mW |
Grenzfrequenz (fT): | 300.00 kHz |
Verstärkung (h21e): | >20 |
Typen in Klammern sind ähnlich. |
|||
DDR-Preise in Mark |
Originaltype |
Industrierückkauf |
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|---|---|---|---|---|
Typ |
EVP Gruppe 1 |
IAP Gruppe 1 |
EVP Gruppe 2 |
IAP Gruppe 2 |
OC 822 |
8.20 |
6.08 |
4.90 |
3.63 |
Datenblatt | 1962 - RFT - Halbleiter-Bauelemente Katalog |
?
Du benötigst 5 Guckies.
|
Datenblatt | Transistordaten, 2. Auflage |
?
Du benötigst 10 Guckies.
|
Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden! |
Daten veröffentlicht: 1962 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!) |
Letzte Bearbeitung: 04.07.2024 / 08:49:36 |