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Datenwartung
OC 832 |
Siehe GD 120 = Neuer Name ab 1.1.1964 |
Hersteller: | VEB Halbleiterwerk Frankfurt (Oder), DDR |
Bauform: |  |
Material: | Germanium |
Zonenfolge: | pnp |
Spannung (UCE) / (UDS): | 30.00 V |
Spannung (UCB) / (UGD): | 30.00 V |
Spannung (UEB) / (UGS): | 10.00 V |
Strom (IC): | 1.00 A |
Leistung (Ptot): | 1.00 W |
Grenzfrequenz (fT): | 100.00 kHz |
Kompatibel: | Typen in Klammern sind ähnlich! |
DDR-Preise in Mark |
Originaltype |
Industrierückkauf | ||
|---|---|---|---|---|
Typ |
EVP Gruppe 1 |
IAP Gruppe 1 |
EVP Gruppe 2 |
IAP Gruppe 2 |
OC 832 |
16.40 |
12.15 |
9.80 |
7.26 |
Datenblatt: | 1962 - RFT - Halbleiter-Bauelemente Katalog | |
Datenblatt: | Transistordaten, 2. Auflage |
Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden! |
Daten veröffentlicht: 1962 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!) |
Letzte Bearbeitung: 04.07.2024 / 09:07:57 |