OC 833

Siehe GD 130 = Neuer Name ab 1.1.1964

Hersteller:

VEB Halbleiterwerk Frankfurt (Oder), DDR

Bauform:

Material:

Germanium

Zonenfolge:

pnp

Spannung (U_CE) / (U_DS):

60.00 V

Spannung (U_CB) / (U_GD):

60.00 V

Spannung (U_EB) / (U_GS):

10.00 V

Strom (I_C):

1.00 A

Leistung (P_tot):

1.00 W

Grenzfrequenz (f_T):

100.00 kHz

Kompatibel:

Typen in Klammern sind ähnlich!

Datenblatt:

1962 - RFT - Halbleiter-Bauelemente Katalog

Datenblatt:

Transistordaten, 2. Auflage

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1962 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 04.07.2024 / 09:08:26