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Datenwartung
LA 4 |
Siehe LD 835 = Neuer Name ab 1.1.1964 |
Hersteller: | VEB Halbleiterwerk Frankfurt (Oder), DDR |
Bauform: | .png) |
Material: | Germanium |
Zonenfolge: | pnp |
Spannung (UCB) / (UGD): |
|
Spannung (UEB) / (UGS): |
|
Strom (IC): | 3.00 A |
Leistung (Ptot): | 4.00 W |
Kompatibel: | Typen in Klammern sind ähnlich! |
DDR-Preise in Mark |
Originaltype |
Industrierückkauf | ||
|---|---|---|---|---|
Typ |
EVP Gruppe 1 |
IAP Gruppe 1 |
EVP Gruppe 2 |
IAP Gruppe 2 |
LA 4570 |
16.50 |
12.23 |
9.90 |
7.34 |
Datenblatt: | 1962 - RFT - Halbleiter-Bauelemente Katalog |
Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden! |
Daten veröffentlicht: 1962 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!) |
Letzte Bearbeitung: 26.02.2024 / 10:59:29 |