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Datenwartung
GC 104 |
Vorstufentransistor, rauscharm |
Hersteller: | VEB Halbleiterwerk Frankfurt (Oder), DDR |
Bauform: |  |
Material: | Germanium |
Zonenfolge: | pnp |
Spannung (UCEO): | - 15.00 V |
Spannung (UCBO): | V |
Spannung (UEBO): | V |
Strom (IC): | 15.00 mA |
Grenzfrequenz (fT): | 1.00 MHz |
Kompatibel: | FD 7 - ?---Typen in Klammern sind ähnlich! |
Datenblatt: | 1969 - Elektronisches Jahrbuch |
Daten veröffentlicht: 1969 |
Letzte Bearbeitung: 26.02.2024 / 10:59:29 |
