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für DDR-Bauteile


Datenwartung

GD 191

Leistungstransistor

Hersteller:

VEB Halbleiterwerk Frankfurt (Oder), DDR

Bauform:

Material:

Germanium

Zonenfolge:

pnp

Spannung (UCEO):

- 40.00 V

Strom (IC):

1.50 A

Leistung (Ptot):

4.00 W

Grenzfrequenz (fT):

350.00 kHz

Kompatibel:

FD 7 - ?---


Typen in Klammern sind ähnlich!

Datenblatt:

1969 - Elektronisches Jahrbuch


Datenblatt anzeigen

Daten veröffentlicht: 1969

Letzte Bearbeitung: 26.02.2024 / 10:59:29