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Datenwartung
P 213 B (П 213 Б) |
npn-NF-Transistor |
Hersteller: | Mashpriboringtorg, Moskva (Maшпpигopинтopг, Mocквa), UdSSR |
Bauform: |  |
Material: | Germanium |
Zonenfolge: | npn |
Spannung (UCE) / (UDS): | 30.00 V |
Spannung (UEB) / (UGS): | 10.00 V |
Strom (IC): | 5.00 A |
Leistung (Ptot): | 10.00 W |
Grenzfrequenz (fT): | 100.00 kHz |
Kompatibel: | Typen in Klammern sind ähnlich! |
DDR-Preise in Mark |
Originaltype |
Industrierückkauf | ||
|---|---|---|---|---|
Typ |
EVP Gruppe 1 |
IAP Gruppe 1 |
EVP Gruppe 2 |
IAP Gruppe 2 |
P 213 B |
10.90 |
8.08 |
6.50 |
4.82 |
SP 213 B (NEU E) |
3.30 |
2.45 |
2.00 |
1.48 |
Datenblatt: | 1969 - Elektronisches Jahrbuch | |
Datenblatt: | Transistordaten, 2. Auflage |
Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden! |
Daten veröffentlicht: 1969 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!) |
Letzte Bearbeitung: 17.07.2024 / 08:34:07 |
