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Datenwartung

P 213 B (П 213 Б)

npn-NF-Transistor

Hersteller:

Mashpriboringtorg, Moskva (Maшпpигopинтopг, Mocквa), UdSSR

Bauform:

Material:

Germanium

Zonenfolge:

npn

Spannung (UCE) / (UDS):

30.00 V

Spannung (UEB) / (UGS):

10.00 V

Strom (IC):

5.00 A

Leistung (Ptot):

10.00 W

Grenzfrequenz (fT):

100.00 kHz

Kompatibel:


Typen in Klammern sind ähnlich!

DDR-Preise in Mark

Originaltype
Industrierückkauf

Typ

EVP Gruppe 1
IAP Gruppe 1
EVP Gruppe 2
IAP Gruppe 2

P 213 B

10.90
8.08
6.50
4.82

SP 213 B (NEU E)

3.30
2.45
2.00
1.48

Datenblatt:

1969 - Elektronisches Jahrbuch


Datenblatt anzeigen

Datenblatt:

Transistordaten, 2. Auflage

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1969 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 17.07.2024 / 08:34:07