P 214 G (П 214 Г)

NF-Transistor

Hersteller:

Mashpriboringtorg, Moskva (Maшпpигopинтopг, Mocквa), UdSSR

Bauform:

Material:

Germanium

Zonenfolge:

pnp

Spannung (U_CE) / (U_DS):

55.00 V

Spannung (U_EB) / (U_GS):

10.00 V

Strom (I_C):

5.00 A

Leistung (P_tot):

10.00 W

Grenzfrequenz (f_T):

100.00 kHz

Kompatibel:

Typen in Klammern sind ähnlich!

Datenblatt:

1969 - Elektronisches Jahrbuch

Datenblatt:

Transistordaten, 2. Auflage

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1969 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 17.07.2024 / 08:40:22