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Datenwartung
P 216 D (П 216 Д) |
npn-NF-Transistor |
Hersteller: | Mashpriboringtorg, Moskva (Maшпpигopинтopг, Mocквa), UdSSR |
Bauform: | |
Material: | Germanium |
Zonenfolge: | npn |
Spannung (UCEO): | - 50.00 V |
Spannung (UCBO): | V |
Spannung (UEBO): | V |
Strom (IC): | 7.50 A |
Leistung (Ptot): | 24.00 W |
Grenzfrequenz (fT): | 100.00 kHz |
Kompatibel: | SFH 609 - Siemens |
Datenblatt: | 1969 - Elektronisches Jahrbuch | Datenblatt anzeigen |
Daten veröffentlicht: 1969 |
Letzte Bearbeitung: 26.02.2024 / 10:59:38 |