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Datenwartung

P 609 (П 609)

pnp-HF-Leistungstransistor

Hersteller:

Mashpriboringtorg, Moskva (Maшпpигopинтopг, Mocквa), UdSSR

Bauform:

Material:

Silizium

Zonenfolge:

npn

Spannung (UCE) / (UDS):

15.00 V

Spannung (UCB) / (UGD):

30.00 V

Spannung (UEB) / (UGS):

1.50 V

Strom (IC):

300.00 mA

Leistung (Ptot):

1.50 W

Grenzfrequenz (fT):

120.00 MHz

Kompatibel:


Typen in Klammern sind ähnlich!

DDR-Preise in Mark

Originaltype
Industrierückkauf

Typ

EVP Gruppe 1
IAP Gruppe 1
EVP Gruppe 2
IAP Gruppe 2

P 609

10.70
7.93
6.40
4.74

P 609 A

8.30
6.15
5.00
3.71

Datenblatt:

1969 - Elektronisches Jahrbuch


Datenblatt anzeigen

Datenblatt:

Transistordaten, 2. Auflage

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1969 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 08.08.2024 / 09:30:34