P 702 (П 702)

npn-HF-Leistungstransistor, Silizium

Hersteller:

Mashpriboringtorg, Moskva (Maшпpигopинтopг, Mocквa), UdSSR

Bauform:

Material:

Silizium

Zonenfolge:

npn

Spannung (U_CE) / (U_DS):

70.00 V

Spannung (U_CB) / (U_GD):

60.00 V

Spannung (U_EB) / (U_GS):

3.00 V

Strom (I_C):

2.00 A

Leistung (P_tot):

40.00 W

Grenzfrequenz (f_T):

4.00 MHz

Typen in Klammern sind ähnlich.

P 702

4.00

2.96

2.40

1.78

P 702 A

3.10

2.30

1.85

1.37

Datenblatt:

1969 - Elektronisches Jahrbuch

Datenblatt:

Transistordaten, 2. Auflage

Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden!

Daten veröffentlicht: 1969 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!)

Letzte Bearbeitung: 08.08.2024 / 09:35:56