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Datenwartung
GT 109 B (ГT 109 Б) |
Miniatur-Transistor |
Hersteller: | Mashpriboringtorg, Moskva (Maшпpигopинтopг, Mocквa), UdSSR |
Bauform: |  |
Material: | Germanium |
Zonenfolge: | pnp |
Spannung (UCE) / (UDS): | 15.00 V |
Spannung (UCB) / (UGD): | 10.00 V |
Spannung (UEB) / (UGS): | 5.00 V |
Strom (IC): | 20.00 mA |
Leistung (Ptot): | 30.00 mW |
Grenzfrequenz (fT): | 1.00 MHz |
Kompatibel: | Typen in Klammern sind ähnlich! |
DDR-Preise in Mark |
Originaltype |
Industrierückkauf | ||
|---|---|---|---|---|
Typ |
EVP Gruppe 1 |
IAP Gruppe 1 |
EVP Gruppe 2 |
IAP Gruppe 2 |
GT 109 B |
0.84 |
0.62 |
0.50 |
0.37 |
Datenblatt: | 1969 - Elektronisches Jahrbuch | |
Datenblatt: | Transistordaten, 2. Auflage |
Es werden maximal zwei Datenquellen angegeben, obwohl z.T. mehr verwendet wurden! |
Daten veröffentlicht: 1969 (Wenn nicht sicher, Jahr der ersten Veröffentlichung!) |
Letzte Bearbeitung: 10.07.2024 / 09:40:26 |
